Ноя 13

Одним из параметров твердотельных накопителей является тип памяти. Тип памяти указывает на то как выполнены транзисторы в ячейках памяти. От этого зависит сама структура памяти, ее скорость работы и долговечность.

Виды памяти SSD дисков

  • SLC – «Single Level Cell» (одноуровневая ячейка) самый первый тип памяти. Каждая ячейка может содержать только один сигнал (логический 0 или логическую 1) соответственно 1 бит информации.
  • MLC – «Multi Level Cell» (многоуровневая ячейка) следующее поколение памяти оно уже способно хранить в себе несколько уровней сигнала, и содержит 2 бита информации.
  • TLC — «Triple Level Cell» (трехуровневая ячейка) следующее поколение памяти которое уже способно хранить в себе 3 бита информации.
  • QLC – «Quad Level Cell» (четырехуровневая ячейка) очередное поколение памяти, которое уже может хранить по 4 бита в ячейке.

Чем большее количество информации может хранить в себе ячейка, тем больший объем памяти можно сделать на том же количестве транзисторов, как следствие стоимость одного Гб памяти уменьшается, но существуют и побочные явления увеличения уровней ячеек, о них поговорим далее.

В чем отличия MLC, TLC, SLC, QLC

Рассмотрим общие случаи для различных типов. Как мы уже выяснили принципиальное отличие типов памяти в количестве уровней записываемой информации, так если транзистор SLC может хранить в себе 1 бит информации (1/0) то MLC в себе хранит 2 бита, это значит что сигналов должно быть 4 (00/01; 10/11), TLC соответственно 8 сигналов на транзистор (000/001; 010/011; 100/101; 110/111), QLC будет иметь уже 16 сигналов на транзистор. Это влечет за собой ряд как положительных, так и отрицательных моментов, увеличение количества уровней транзистора увеличивает число обращений к нему, поэтому снижается ресурс. Если в типе памяти SLC условно выдерживает 100 000 циклов перезаписи, то MLC это значение будет меньше 10 000, TLC соответственно еще меньше 5 000, QLC будет около 1 000 циклов перезаписи.

Увеличивается количество сигналов с различными напряжениями требует установки более чувствительного контроллера, которому необходимо различать уровни сигналов, а это в свою очередь снижает скорость доступа к данным.

Для SLC мы имеем только два сигнала, соответственно уровень напряжения может быть (возьмем условно) либо 0В либо 3В, и сели оно снизится до 2,5В это критично не повлияет т.к. это все-равно будет логическая единица, но уже в случае с MLC это не работает, т.к. там уже будет 4 вида напряжений (опять же условно) 0В, 1В, 2В, 3В, даже небольшое снижение напряжения приведет к смещению бита (вместо 01 будет 10), и файл будет поврежден.

Итог в отличиях

Из плюсов увеличение количества сигналов на транзистор мы имеем:

+ значительное уменьшение стоимости изделия;

+ уменьшение размеров устройства.

Из минусов:

— снижение циклов перезаписи;

— снижение скорости доступа к данным;

— более чувствительный к перепадам напряжения.

Что такое V-NAND, 3D NAND

V-NAND, 3D NAND обозначают структуру SSD дисков транзисторы, в которых расположены в несколько слоев, что позволяет сократить размеры устройства. У некоторых фирм на устройствах может отсутствовать обозначение какой тип памяти использован, а иметься только маркировка V-NAND, так у Samsung в линейке устройств EVO используется технология TLC, а для линейки PRO технология MLC. То на сколько эффективна технология V-NAND

Какой SSD выбрать

При выборе типа памяти твердотельного накопителя, если не учитывать цену устройств, лучше остановиться на  SLC или MLC, если же нужен как можно более дешевый вариант то QLC, что-то среднее цена/качество это технология TLC. Чем меньше уровней в транзисторе тем лучше для памяти, но стоимость таких устройств резко возрастает.

автор: Admin

Оставьте свой отзыв

RSS
Follow by Email
Facebook
Google+
https://cl-box.ru/tipi-pamiati
Twitter
SHARE
LinkedIn